Geçtiğimiz hafta Qualcomm, LPDDR5X DRAM ve LPDDR5T DRAM ile uyumlu amiral gemisi akıllı telefon yonga seti Snapdragon 8 Gen 3’ü resmi olarak tanıttı. Lakin Güney Koreli SK Hynix, Samsung’un LPDDR5X RAM’inden daha süratli olan bir LPDDR5T RAM üretti ve yeni kuşak amiral gemisi akıllı telefonlar için hazır üzere görünüyor.
SK Hynix, LPDDR5T DRAM çiplerinin Snapdragon 8 Gen 3 ile uyumluluk için doğrulama sürecini tamamladığını duyurdu. Bu çipler birinci olarak Ocak 2023’te duyurulmuştu ve artık üst seviye akıllı telefonlar için hazır. RAM’ler LPDDR5X DRAM’den yaklaşık %12,5 daha süratli olan 9,6Gbps azamî bilgi suratı sunan 16GB’lık bir pakette satışa sunulacak. SK Hynix ayrıyeten yeni bellek yongalarının JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) tarafından öngörülen yalnızca 1.01~1.12V üzere çok düşük bir voltajda çalışarak sınıfının en yüksek güç verimliliğine sahip olduğunu tez ediyor.
SK Hynix, LPDDR5T RAM yongalarının performansını ve verimliliğini artırmak için HKMG (High K Metal Gate) sürecini kullandı. Bu çipler LPDDR5X’e nazaran %10 daha düşük voltajda çalışıyor. Şirket, yeni LPDDR6 DRAM standardının piyasaya sürülmesinden evvel yeni çiplerinin değerli bir pazar hissesi elde etmesini bekliyor.
Qualcomm Eser İdaresi Kıdemli Lider Yardımcısı Ziad Asghar, “Yeni Snapdragon 8 Gen 3’ümüz üzerinde çalışan üretken yapay zeka uygulamaları, LLM’leri ve LVM’leri aygıt üzerinde en az gecikmeyle ve en düşük güçle çalıştırarak heyecan verici yeni kullanım senaryoları sunuyor. SK Hynix ile yaptığımız işbirliği, en süratli taşınabilir belleği en yeni Snapdragon taşınabilir platformumuzla eşleştiriyor ve akıllı telefon kullanıcıları için yapay zekalı sanal asistanlar üzere aygıt üzerinde inanılmaz, ultra şahsileştirilmiş yapay zeka tecrübeleri sunuyor.” dedi.